铠侠与闪迪联合发布第10代BiCS 3D NAND闪存，2027年目标千层堆叠
时间：2025-02-22 04:30
小编：小世评选
在当今数据存储需求不断增长的背景下，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）近日联合宣布了其第10代BiCS 3D NAND闪存的正式发布。这款新型闪存不仅在堆叠层数、存储密度和接口速率等方面达到了新的里程碑，还标志着两家公司在半导体技术领域的深度合作及创新。
先进的堆叠技术
新一代BiCS（Bit Cost Scaling）3D NAND闪存采用了创新的架构设计，这一架构通过分别制造CMOS控制电路与NAND存储阵列并最终进行键合，有效提升了存储性能。这种技术理念受到长江存储（Yangtze Memory Technologies）的Xtacking晶栈架构启发，旨在进一步优化存储密度和读写速度。
具体来看，铠侠的目标是在2027年前实现高达1000层的3D闪存堆叠。这一设想的实现，将会极大提升其产品的存储密度，使得单单位面积内的存储容量更为惊人。目前，西数的3D NAND闪存存储密度仅为每平方毫米22.9Gb，而SK海力士则为20Gb，铠侠的进步势必将让其在市场中保持领先地位。
突出的性能提升
与前代产品相比，第10代BiCS 3D NAND闪存的数据传输速率提高了33%，达到3600MT/s，这一速度不仅超过了美光（Micron）和西数的产品，更是当前市场中的一项新高。这使得铠侠在高性能存储领域的竞争力大幅提升，为用户提供更快速和高效的数据处理方案。
除了性能上的提升，铠侠此次还引入了PI-LTT（Power Isolation Low Power Technology）低功耗技术，旨在更好地满足人工智能（AI）和机器学习等高负载应用的能量需求。近年来，AI的发展促使对高效能存储解决方案的需求日益增加，铠侠通过此技术的开发与运用，显示了其对行业趋势敏锐的洞察力和应对能力。
应用广泛的前景
铠侠和闪迪的联合研发不仅在技术方面展现了创新，也为未来存储应用的广泛发展奠定了基础。新一代的BiCS 3D NAND闪存可以广泛应用于数据中心、云计算、AI应用、移动设备及消费电子产品等多个领域。有了更高的存储密度和更快的速度，用户将能够体验到更为流畅的数据存取和处理能力，推动更多创新应用的落地。
持续的技术突破
铠侠作为全球领先的闪存制造商之一，始终在技术进步和产品迭代方面走在前沿。此次与闪迪的合作，不仅反映出双方对闪存技术未来发展的共同愿景，也彰显了在全球存储市场竞争中的战略布局。
虽然目前铠侠尚未公布第10代BiCS 3D NAND闪存的具体类型（如TLC或QLC）以及单Die容量的详细信息，但其显著的技术进步及对未来的承诺，已然为市场带来了巨大的期待和信心。
随着数据存储技术的持续进步，铠侠与闪迪的联合发布第10代BiCS 3D NAND闪存，是这一领域的一次重要突破。两家公司着眼于千层堆叠技术的目标，将为未来的数据存储需求和行业发展带来更多的可能性。未来，随着科技的不断演进，消费者也将从中受益，享受到更快速、更可靠的存储解决方案。
