SK海力士启动量产全球首款321层4D NAND闪存 提升性能与能效
时间：2024-11-23 03:24
小编：小世评选
近日，SK海力士正式宣布开始量产全球首次规模化的321层1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。这一重要进展不仅在技术层面上突破了300层的瓶颈，更标志着四维闪存技术在全球市场上的进一步成熟。
据SK海力士透露，新一代的321层4D NAND闪存在数据传输速度及读取性能方面分别提升了12%和13%。这款产品在数据读取过程中的能效也提高了超过10%。这一系列的技术改进不仅提升了产品的整体性能，更为用户带来了更好的使用体验，符合现代化数据中心和移动设备对数据存储要求的不断提升。
SK海力士的321层4D NAND闪存于2023年6月开始量产的238层NAND闪存产品相比，利用了更加先进的“3-Plug”工艺技术，成功克服了以往在闪存堆叠过程中的多种技术限制。具体而言，该工艺通过三次进行通孔工艺流程，将三个通孔电气连接的方式大大提升了产品的生产效率。这一技术创新使得SK海力士能够在保持较高的存储密度的同时，控制产品的变形和误差，进一步提升了产品的可靠性。
针对当前市场的激烈竞争环境，SK海力士计划自2024年上半年开始向客户提供新的321层产品，以满足日益增长的市场需求。这一策略不仅反映了SK海力士在NAND闪存市场中的领导地位，更表明其对未来存储技术发展趋势的深刻理解。
在开发321层4D NAND闪存的过程中，SK海力士还借助了上一代238层产品的开发，最大限度地减少了工艺变化带来的影响。这一决策显著提升了生产效率，提高了59%，使得SK海力士在缩短产品上市周期上更具优势。
以目录化的存储结构为基础，4D NAND闪存技术的出现，是SLC（Single Level Cell）、MLC（Multi Level Cell）以及TLC技术发展的必然结果。4D NAND_FLASH在数据存贮密度、读取速度和耐用性方面都显示出了显著优势。尤其是在大数据和云计算日益普及的今天，这种高性能闪存组件将大大提升数据处理能力，促进各类高性能计算和存储需求。
随着智能设备、物联网（IoT）、人工智能（AI）等技术的不断发展，数据的生成和处理速度日益加快，随之而来的对存储产品的需求也在增加。SK海力士的321层4D NAND闪存将在这场数据存储的竞争中扮演重要角色。
展望未来，SK海力士不仅将继续提升其闪存产品的技术水平，同时也致力于开发更具环保性能的产品。公司表示，未来将把更多的精力集中在提升产品的能效和适应性上，以应对全球数据存储市场的挑战。通过持续创新与技术迭代，SK海力士期望将其在市场中的竞争优势延续下去。
SK海力士321层4D NAND闪存的问世，不仅是公司在存储技术领域的一次巨大突破，也是全球闪存技术发展史上的重要里程碑。借助先进的生产工艺和出色的技术性能，SK海力士在确保高性能的同时，更加注重持续的能效提升，以迎合快速变革的市场需求。未来，SK海力士将继续引领存储技术的潮流，助力数据存储行业的发展与创新。
