欧洲FAMES项目启动公开征集10nm、7nm FD-SOI芯片设计

在半导体行业持续创新发展的背景下，欧洲的先进FD-SOI中试线项目FAMES于2023年3月18日正式启动，并对外公开征集计划采用10nm和7nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺的芯片设计。这一项目的启动标志着欧洲在高端芯片设计和制造领域又迈出了重要一步，旨在推动先进技术的普及与应用，为未来的电子产品提供更强的性能。

FAMES项目背景

FAMES（Flexible Advanced Microelectronics for European Supply）项目由法国高级技术研究所CEA-Leti牵头，旨在通过创新的FD-SOI工艺，提升芯片制造的灵活性和效率，并且针对10nm和7nm制程节点的开发需求，优先推动数字逻辑、存储器和混合信号等多样化应用的芯片设计。FD-SOI技术以其低功耗、高性能和强大的设计灵活性而著称，广泛应用于移动、消费电子和汽车电子等领域。

技术特点与创新

据FAMES项目协调员Dominique Noguet介绍，该项目将在10nm和7nm制程节点采用193nm ArFi DUV光刻机，并通过自对准双重曝光(SADP)技术实现高精度的刻蚀与设计。这一新颖的技术方案不仅可以提高晶体管的密度，还能够有效降低功耗，从而实现更高的性能输出。

FAMES中试线将提供先进FD-SOI节点的性能评估工艺设计套件(PDK)，并为设计测试提供多项目晶圆(MPW)的用PDK。这意味着，参与该项目的设计者将能够在实际应用前，进行充分的验证和评估，确保设计的有效性和科学性。

发展重点

FAMES项目并不局限于传统的逻辑制程，还将采用创新的方法探索其他存储技术的应用潜力。CEA-Leti研究所已成功研制出氧化物基阻变存储器(OxRAM)样品，正着重研发铁电存储器(FRAM/FeFET)和磁性存储器(MRAM)等新兴技术，以应对未来存储市场的挑战。

这些新型存储器的出现，将为数据存储和计算提供更多的选择，极大地丰富了芯片市场的产品线。通过FD-SOI技术的创新应用，FAMES项目期望在提升芯片性能的同时，也能降低生产成本，从而增强竞争力。

征集简要说明

FAMES项目的公开征集面向业内的芯片设计师，参与者需基于指定的FD-SOI工艺进行创意设计。该征集的最终目标是通过多样化的设计方案，促进新技术的快速实现与迭代，以推动整个产业链的发展。

参与设计的团队和个人需对10nm和7nm FD-SOI芯片设计持有一定的技术积累及创新理念。FAMES项目承诺将为所有入选的设计提供必要的支持，包括技术指导和资源共享，以确保参与者在金融和技术上都能获得所需的保障。

市场前景与战略意义

随着全球数字化转型的加速，半导体行业面临着前所未有的增长机遇。预计在未来几年内，人工智能、5G通信和物联网(IoT)等新兴应用将推动芯片需求激增，而FD-SOI技术成为高性能低功耗的最佳解决方案之一，必将迎来更多的发展机会。

FAMES项目的启动，是欧洲在全球半导体领域增强竞争力和技术自主权的重要举措。通过集结欧洲各方资源，推动FD-SOI技术研究与应用，FAMES项目将为未来的技术进步提供源源不断的动力，并有助于加强欧洲在全球半导体产业链中的地位。

FAMES项目的正式启动，标志着欧洲在推进先进芯片设计和制造方面的一次重要尝试。通过开放式的征集和对技术的持续探索，FAMES将促进全球范围内的技术交流与合作，助力实现更高性能芯片的梦想，进而为整个电子产业的发展注入新动能。在未来，我们期待这一项目能够推出一系列颇具潜力的芯片设计，推动市场的进一步发展和革新。