三星收购长江存储专利技术，推出第十代V-NAND助力存储行业革新
时间：2025-02-28 03:00
小编：小世评选
在存储技术快速发展的今天，全球存储巨头三星电子再一次引发行业震动。近日，三星宣布收购中国长江存储的专利技术，这一举动引起了广泛关注，标志着在存储行业内又一次重要的技术合作与创新。
自1990s年以来，三星一直是全球领先的存储器制造商，其技术实力和市场份额无人可敌。对于如何进一步提升存储密度和性能的问题，三星以其丰富的研发经验与创新力，应对市场不断变化的需求。随着数据量的激增，传统的存储架构面临着越来越大的挑战，如何在保证性能的同时减少成本，成为存储行业亟待解决的问题。
在传统NAND闪存的设计中，CMOS控制电路通常与存储单元一起集成在同一块晶圆上。虽然这种架构初期能有效地降低成品成本，但随着存储技术的进步，堆叠层数和存储密度的提升，使得这一设计逐渐显露出其局限性。为了应对这一挑战，长江存储早在数年前就提出了"晶栈"架构，这种设计将CMOS控制电路与存储单元独立分开制造，不仅降低了制造复杂性，也为多层堆叠和技术升级提供了更好的空间。
通过收购长江存储的专利技术，三星在其即将推出的第十代V-NAND中，将会全面引入这一创新设计。根据回复数据，三星第十代V-NAND的层数将会超过400层，具体数字虽未明确公布，但显然会超过当前业界记录的332层。这一设计不仅代表了存储密度的革命性提升，同时也为后续产品的快速迭代提供了良好基础。
优化后的第十代V-NAND同样兼容PCIe协议，经过性能测试，其数据传输速率将达到700MB/s，这一转换速度让消费者在使用上能够感受到更为流畅的体验。例如，使用10颗芯片便能够完全满足PCIe 4.0 x4的带宽需求，若使用32颗芯片，则能完全支持PCIe 6.0 x4的速度。这将进一步推动高性能计算、游戏和数据中心等领域的发展。
存储器的提升不仅体现在性能和厚度上，更在于其能给用户带来的便利。例如，基于这样的设计，多数NAND闪存芯片采用8颗或者16颗Die的封装形式，即使是双面的情况下也能实现每颗芯片达到2TB的容量，甚至双面达到的16TB，极大地扩展了用户可以存储的数据量。
不过，随着新技术的上线，市场对兼容性的要求也越来越高。尽管双面设计对于某些应用来说是理想的选择，但在执行上，生产的复杂性和市场的接受度也成为必须考虑的因素。三星在此方面对市场需求的敏感把握，将会是其未来产品设计和生产的一大优势。
来看，三星收购长江存储的专利技术，绝不仅仅是一次技术性的收购，更是对存储行业未来发展的重要布局。通过整合资源、提高技术创新能力，三星不仅将会进一步巩固其在全球存储市场的领导地位，同时也将推动整个行业向更高的技术水平发展。这一行动态势，预示着存储行业的革新时代即将来临，期待三星第十代V-NAND为消费者的数字生活带来更大的变革与惊喜。
