三星计划2025年量产420层以上V10 NAND，采用全新晶圆键合技术
时间：2025-02-27 07:30
小编：小世评选
在全球半导体市场，存储技术的不断升级推动着数据中心、移动设备及云计算等领域的发展。作为行业领先者，三星电子近日宣布，其计划于2025年下半年开始量产新一代V10 NAND闪存，该产品层数将达到420层以上，标志着存储技术的又一次重大飞跃。
为了实现这一目标，三星将采用一种全新的“多BV”（multi-BV）NAND结构。这种架构通过将四片晶圆进行堆叠，突破了传统单一结构的限制，旨在提高数据存储能力和性能。这一创新方案将使得V10 NAND在容量和速度上实现质的飞跃，为未来的数据存储需求提供强有力的支持。
三星电子DS部门的首席技术官宋在赫（Song Jae-hyuk）表示，V10 NAND的生产过程将涉及一种前所未有的晶圆键合技术。这意味着三星将在生产过程中分开制造外围晶圆和单元晶圆，然后通过高精度的键合技术将这两部分结合成一个整合的半导体组件。这种方式的引入，旨在解决传统生产方法中的一些可靠性问题。
以往，三星在NAND生产中使用的COP（chip-on-wafer）技术，将外围电路与存储单元直接堆叠在一起。这种方法在层数增加的情况下，底部外围电路承受的压力会影响到整个结构的可靠性，从而影响产品的长期稳定性。通过使用晶圆键合技术，三星能够更有效地分配压力，从而提高产品的可靠性和稳定性。这一新技术还将有助于进一步缩小晶圆之间的距离，以实现更高的存储密度。
除了晶圆键合技术外，三星还计划在未来的NAND生产过程中引入其他几种关键技术。例如，低温刻蚀技术的使用将提高生产精度，减少材料损耗，从而进一步优化生产效率；而钼材料的引入则有助于提升电气性能，使得整个存储设备在更高的速度下稳定运行。这些新技术的实施，预计将从400层NAND的生产开始推广。
值得注意的是，随着存储层数的不断增加，对制造工艺的要求也在逐步提升。三星的V10 NAND在达到420层的同时，将面临一系列新挑战，包括高温环境下的稳定性、长期的数据保持能力以及高频操作下的能效。因此，三星在研发过程中也会集中精力解决这些问题，确保产品在各个方面都能达到行业的高标准。
三星此次计划量产的V10 NAND，将广泛应用于高性能计算、人工智能、大数据分析等多个领域，能够为企业提供更强大的数据存储解决方案。同时，随着5G和物联网的进一步发展，对高速、低延迟存储技术的需求也越来越迫切，而V10 NAND的推出，将为这些新兴市场提供强大的支持。
三星电子在未来的NAND闪存生产中，将通过创新的晶圆键合技术与多种先进材料的应用，着力提升存储效率和可靠性。随着V10 NAND的量产，三星不仅将巩固其在存储芯片市场的领导地位，还将为推动整个行业的技术进步作出积极贡献。专业人士表示，这一进展将引领NAND闪存行业走向新纪元。随着各项技术的不断成熟，期待在不久的将来，V10 NAND能够在市场中占据一席之地，为用户提供更加强劲的性能表现和更高的存储灵活性。
