中国长鑫存储预计2024年全球DRAM市场份额将达13%
时间：2025-01-17 21:50
小编：小世评选
近年来，随着科技的不断进步和应用需求的剧增，内存市场迎来了前所未有的发展机遇。尤其是生成式AI技术的崛起，推动了对DRAM（动态随机存取存储器）等存储产品的需求激增。在这样的背景下，中国半导体企业长鑫存储（ChangXin Memory Technologies）展现出强劲的增长势头，预计在2024年将占据全球DRAM市场约13%的份额。
根据调研机构Counterpoint Research的最新报告，长鑫存储不仅在产能上有所提升，预计在2024年其出货量占比将达到6%，营收占比也有望提升至3.7%。这一数据彰显了长鑫存储在全球内存产业链中的逐渐崭露头角的地位。Counterpoint Research表示，长鑫存储的发展势头强劲，预计到2025年，其产能将接近美国巨头美光科技（Micron Technology）。
尽管长鑫存储的市场前景光明，目前其产量和营收水平仍处于相对低迷的状态，原因在于技术的相对落后、良率偏低以及市场定价策略的挑战。为了解决这些问题，长鑫需要加大技术研发力度，尤其是在高介电金属闸极（HKMG）晶体管的实现上，这一技术对于降低功耗和提高数据传输速度至关重要。
据Counterpoint Research的研究总监MS Hwang分析，长鑫存储在高带宽内存（HBM）领域的进展也值得关注。长鑫正在大力推进其HBM产品的开发，旨在提升第一代HBM的生产能力，并已在第二代HBM2上取得了显著的技术突破。目前，长鑫存储已开始向客户提供样品，预计在今年中期可实现小规模量产。
从市场趋势来看，随着各种终端设备对存储性能的要求日益增长，DRAM的市场需求仍将持续上升。这对于专注于内存芯片研发的企业而言，是个利好消息。长鑫存储充分抓住了这一机遇，借助国内市场的快速增长，逐步提升自身在全球DRAM市场的竞争力。
中国在半导体产业的支持政策也为长鑫存储的成长创造了良好的外部环境。近年来，中国出台了一系列促进半导体产业发展的政策，包括资金支持、税收减免和产业扶持。这些政策不仅鼓励了国内企业的研发投入，也吸引了更多的资本流入内存产业，有助于长鑫存储等公司加快技术革新步伐。
要在激烈的全球市场竞争中立于不败之地，仅依靠政策和市场需求还不够。长鑫存储需要进一步提高自身的技术水平、生产效率和产品质量，以应对来自国际巨头的竞争压力。在技术研发方面，特别是新材料的应用和制程工艺的升级将是长鑫存储未来发展的重要方向。
除了技术突破外，长鑫存储还需要注重市场定位和品牌建设。随着市场参与者的增多，客户在选择合适的供应链伙伴时将更加谨慎。长鑫存储若能通过持续的技术创新和优质的客户服务，来有效提升品牌形象和市场影响力，将会更有利于开拓国内外市场。
长鑫存储作为中国内存产业的重要参与者，面临着前所未有的发展机遇与挑战。未来，能否在竞争激烈的全球DRAM市场中占据一席之地，将取决于其在技术创新、产品质量、市场拓展及品牌建设等方面的持续努力。在当前全球科技竞争日趋加剧的形势下，长鑫存储的每一步都将对中国半导体产业的前行产生深远影响。
