理想汽车揭示汽车级SiC芯片隐藏缺陷，发表重要研究论文
时间：2025-07-26 19:15
小编：小世评选
2023年6月5日，来源于理想汽车的消息引发了业内广泛关注。据了解，在日本熊本市举行的第37届国际功率半导体器件与集成电路会议（ISPSD）上，理想汽车驻足分享了一项颇具影响力的研究成果。该研究题为《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（汽车级1.2kV碳化硅MOSFET芯片击穿电压异常芯片的分析与筛选技术），揭示了汽车级碳化硅（SiC）芯片在高压、强电流工作环境下存在的潜在隐藏缺陷。
半导体芯片在现代汽车的动力系统中扮演着至关重要的角色，尤其是在电动汽车领域。这些芯片处理着高电压和大电流的功率应用，比如电动机驱动，大大提升了汽车的性能与效率。碳化硅（SiC）芯片的崛起使得电动汽车能够实现高压快充与瞬间加速，成为当前电动汽车技术的重要支撑。随着电动汽车的发展，对SiC芯片质量的要求也逐步提高，不能再容忍任何潜在的缺陷。
理想汽车的自研SiC芯片团队在这个背景下意识到了行业内的一个盲区：在现有测试标准下，有些SiC芯片虽然在表面上符合合格标准，却潜藏着质量隐患，尤其在恶劣的工作环境中可能导致严重的故障。这些“问题芯片”在经过严格的下线测试后流入市场，但在实际应用中却可能因为微小的缺陷引发电动车的失效，严重影响用户的行车安全。
为了解决这一隐患，理想汽车的团队开展了大量流片验证和测试分析。他们将芯片的击穿电压性能与相应的碳化硅材料特性以及生产过程数据进行综合分析，通过这种方式精准找到了击穿电压异常的芯片。这不仅显示了芯片失效的原因，还揭示了新的筛选技术，包括何种技术可以“透视”芯片内部缺陷，使它们在出厂之前就得以挑选。
在研究论文中，理想汽车还展示了如何从根本上解决这一问题的方案。这一研究成果对于提升整个产业链中的SiC芯片可靠性具有深远的意义。当前，电動汽车市场正处于快速发展的阶段，对功率芯片的需求也在激增，因此提升芯片的整体质量将直接关系到用户的使用体验和出行安全。
理想汽车此番研究不仅为SiC芯片的质量控制提供了新思路，也为电动车的安全使用奠定了基础。未来，随着技术的不断进步和改进，相信会有更多企业加入到芯片质量提升的行列中，为消费者提供更安全、更高效的电动车产品。
理想汽车对SiC芯片的深入研究还将推动电动汽车产业的整体发展，使得相关技术更加成熟，借此不断满足市场对更高性能和更高安全性的汽车需求。在电动汽车百花齐放的今天，理想汽车的这一论文为业界提供了更多的思考与启示。
理想汽车在ISPSD会议上发表的这篇论文不仅揭示了车载SiC芯片可能存在的隐患，也为如何有效筛选出这些问题芯片提供了理论依据与技术路径。在未来的汽车产业中，这种问题的及时识别与处理将为电动汽车行业的进一步发展筑起一座安全的桥梁。
