三星电子加速引进ASML High NA EUV设备 推动2纳米工艺量产
时间：2025-03-23 12:50
小编：小世评选
近期，韩国媒体FNnews报道，三星电子正在加速引进ASML的High NA EUV光刻设备，以提升其在2纳米及以下制程技术上的竞争力。这一设备，即EXE:5000，是全球首个也是唯一能够执行此类高精度光刻的设备，其单台售价高达5000亿韩元，约合24.88亿元人民币。EXE:5000通过增大透镜和反射镜的尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提高至0.55，极大提升了光刻精度，对于实现2纳米及以下制程至关重要。
随着半导体技术的迅猛发展，对于更小、更快、更高效的芯片需求不断增加，三星电子认识到High NA EUV设备的重要性。该技术的引入，不仅能实现更窄的电路线宽，还能显著降低功耗并提高数据处理速度。三星自去年开始就已对该设备进行了工艺应用评估，意图将其纳入下一代半导体制造中。
三星电子晶圆代工业务部负责人韩镇万在会议上明确表示，尽管其在环绕栅极（GAA）工艺转换上处于领先地位，但在商业化方面仍需要加快步伐。因此，快速实现2纳米工艺的量产，成为他们的首要任务。他透露，三星电子计划在设备安装完成后，全面构建起2纳米工艺的生态系统，以应对市场需求的变化和技术潮流的落地。
全球其他半导体巨头也在积极引入High-NA EUV设备，英特尔就是其中一个先行者。2023年，英特尔率先采购了ASML的首台High-NA EUV设备，并且已经与ASML签订了合同，计划总计购买6台此类设备。路透社报道称，英特尔的前两台High-NA EUV设备已投入生产，预计每季度可以处理3万片晶圆。英特尔还预计将优先获得EXE:5200设备，为其14A技术节点做准备。
尽管如此，三星在全球晶圆代工市场的竞争力并不尽如人意。据TrendForce的数据，2023年第四季度，三星的市场份额为8.1%，以32.6亿美元的收入排名全球第二，而台积电（TSMC）则凭借67%的市场份额继续位居行业首位。这使得三星必须加速其技术升级和产能提升，而High NA EUV设备的引进是其实现目标的关键之一。
值得注意的是，三星电子的计划并不仅限于引进设备。他们还在策略上进行全面布局，借助High NA EUV技术加速自身的技术革新，企图在未来的半导体市场中占据更加稳固的地位。三星还面临着包括人才培养、研发投资和生态链建设等一系列挑战，这些都是实现2纳米工艺量产必须克服的难题。
在全球范围内，台积电也在计划于2028年启动High-NA的量产，这趟技术竞赛的逐步加剧显示出半导体行业竞争的残酷性。各大企业纷纷抢占市场先机，力图通过最新技术的引进和应用，巩固和扩大自身的市场份额。
面对瞬息万变的市场环境，三星电子通过积极引入ASML的High NA EUV设备，不仅是为了提升自身技术能力，更是为了在激烈的市场竞争中争取领导地位。随着这一战略的实施，三星电子有望在未来的半导体行业中脱颖而出。
三星电子引进ASML High NA EUV设备是其在快速发展半导体产业中的重要战略举措，通过强化先进工艺技术，中国半导体行业将能实现更高效能的产品链与市场响应。未来三星的动向，将对半导体产业的格局产生深远影响。
